전력소모 반으로 줄인 ‘스핀 오비트 메모리’ 개발

싱가포르·한국 공동 연구팀
차세대 메모리소자 약점 보완

차세대 메모리 소자 중 하나로 주목받는 ‘스핀 오비트 메모리’ 소자의 전력소모를 반으로 줄일 수 있는 기술이 한국 과학자들의 공동연구로 개발됐다.

싱가포르국립대(NUS) 양현수(사진) 교수팀과 포항공대 박재훈 교수팀, 고려대 이경진 교수 등 공동 연구진은 3일 스핀 오비트 메모리를 구성하는 나노 자석의 산화 정도를 조절해 구동 전력을 기존의 반으로 줄일 수 있는 기술을 개발했다고 밝혔다. 해당 연구는 과학저널 ‘네이처 나노테크놀로지’에 실렸다.

스핀 오비트 메모리는 나노미터(10억분의 1m) 크기의 나노 자석에 정보를 저장, 집적화에 유리하면서도 내구성이 뛰어나고 정보를 기록하는 속도가 매우 빠르다. 전 세계 반도체 업체가 차세대 메모리 소자로 연구하고 있으나 지금까지는 높은 구동전력이 문제가 되어왔다.

양 교수는 “스핀 오비트 메모리는 1나노초 이하에서 빠르게 구동하는 것이 가능하기 때문에 정보 저장용 메모리뿐만 아니라 컴퓨터 중앙처리장치(CPU)의 주메모리나 논리 소자로도 사용할 수 있을 것으로 기대된다”고 설명했다.

김유나 기자 yoo@segye.com

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